提升10倍 Intel预告万亿晶体管芯片时代:FinFET将被淘汰
发布时间:2025-07-08 18:13:30 作者:玩站小弟
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过去50多年来,半导体行业都深受摩尔定律的影响,这一黄金定律引领着芯片技术的进步,不过近年来摩尔定律也被认为落伍了,作为铁杆捍卫者的Intel现在站出来表示摩尔定律没死,2030年芯片密度就提升到1万
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过去50多年来,提升汰半导体行业都深受摩尔定律的倍I被淘影响,这一黄金定律引领着芯片技术的预告进步,不过近年来摩尔定律也被认为落伍了,晶体作为铁杆捍卫者的管芯Intel现在站出来表示摩尔定律没死,2030年芯片密度就提升到1万亿晶体管,提升汰是倍I被淘目前的10倍。
在上周的预告Hotchips 2022会议上,Intel CEO基辛格做了主题演讲,晶体他提到先进封装技术将推动摩尔定律发展,管芯将发展出System on 提升汰Package,简称SOP,倍I被淘芯片制造厂提供的预告不再是单一的晶圆生产,而是晶体完整的系统级服务,包括晶圆生产、管芯先进封装及整合在一起的软件技术等。
根据基辛格所说,目前的芯片最多大概有1000亿晶体管,未来SOP技术发展之后,到2030年芯片的密度将提升到1万亿晶体管,是目前的10倍。
不过要想实现10倍的晶体管密度提升,还要有技术突破,目前在用的FinFET晶体管技术已经到了极限,Intel将会在2024年量产的20A工艺上放弃FinFET技术,转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。
根据Intel所说,RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。
PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
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